STP6NC60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP6NC60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP6NC60

STP6NC60 Datasheet (PDF)

..1. Size:253K st
stp6nc60.pdf

STP6NC60 - STP6NC60FPSTB6NC60-1N-CHANNEL 600V - 1 - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAKPowerMESHII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP(B)6NC60(-1) 600 V

0.1. Size:364K st
stp6nc60-fp--1.pdf

STP6NC60 - STP6NC60FPSTB6NC60-1N-CHANNEL 600V - 1 - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAKPowerMESHII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP(B)6NC60(-1) 600 V

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stb6nc80z stp6nc80z.pdf

STP6NC80Z - STP6NC80ZFPSTB6NC80Z - STB6NC80Z-1N-CHANNEL 800V - 1.5 - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAKZener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NC80Z/FP 800V

8.2. Size:532K st
stp6nc90z.pdf

STP6NC90Z - STP6NC90ZFPSTB6NC90Z - STB6NC90Z-1N-CHANNEL 900V - 1.55 - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAKZener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NC90Z 900 V

8.3. Size:511K st
stp6nc80z.pdf

STP6NC80Z - STP6NC80ZFPSTB6NC80Z - STB6NC80Z-1N-CHANNEL 800V - 1.5 - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAKZener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NC80Z/FP 800V

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Liste

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