STP6NC60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP6NC60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP6NC60 datasheet

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STP6NC60

STP6NC60 - STP6NC60FP STB6NC60-1 N-CHANNEL 600V - 1 - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP(B)6NC60(-1) 600 V

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STP6NC60

STP6NC60 - STP6NC60FP STB6NC60-1 N-CHANNEL 600V - 1 - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP(B)6NC60(-1) 600 V

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STP6NC60

STP6NC80Z - STP6NC80ZFP STB6NC80Z - STB6NC80Z-1 N-CHANNEL 800V - 1.5 - 5.4A TO-220/FP/D PAK/I PAK Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NC80Z/FP 800V

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STP6NC60

STP6NC90Z - STP6NC90ZFP STB6NC90Z - STB6NC90Z-1 N-CHANNEL 900V - 1.55 - 5.4A TO-220/FP/D PAK/I PAK Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NC90Z 900 V

Otros transistores... STP6506, STP6621, STP6623, STP6635GH, STP6N60M2, STP6N65M2, STP6N80K5, STP6NB90, 2SK3568, STP6NK60ZFP, STP6NK70Z, STP6NK90ZFP, STP6NM60N, STP6NS25, STP7401, STP7407, STP75N20