STP6NC60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP6NC60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 145 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-220
STP6NC60 Datasheet (PDF)
stp6nc60.pdf
STP6NC60 - STP6NC60FPSTB6NC60-1N-CHANNEL 600V - 1 - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAKPowerMESHII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP(B)6NC60(-1) 600 V
stp6nc60-fp--1.pdf
STP6NC60 - STP6NC60FPSTB6NC60-1N-CHANNEL 600V - 1 - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAKPowerMESHII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP(B)6NC60(-1) 600 V
stb6nc80z stp6nc80z.pdf
STP6NC80Z - STP6NC80ZFPSTB6NC80Z - STB6NC80Z-1N-CHANNEL 800V - 1.5 - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAKZener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NC80Z/FP 800V
stp6nc90z.pdf
STP6NC90Z - STP6NC90ZFPSTB6NC90Z - STB6NC90Z-1N-CHANNEL 900V - 1.55 - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAKZener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NC90Z 900 V
stp6nc80z.pdf
STP6NC80Z - STP6NC80ZFPSTB6NC80Z - STB6NC80Z-1N-CHANNEL 800V - 1.5 - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAKZener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NC80Z/FP 800V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
