STP6NC60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP6NC60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP6NC60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP6NC60 даташит

 ..1. Size:253K  st
 stp6nc60.pdf pdf_icon

STP6NC60

STP6NC60 - STP6NC60FP STB6NC60-1 N-CHANNEL 600V - 1 - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP(B)6NC60(-1) 600 V

 0.1. Size:364K  st
 stp6nc60-fp--1.pdf pdf_icon

STP6NC60

STP6NC60 - STP6NC60FP STB6NC60-1 N-CHANNEL 600V - 1 - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP(B)6NC60(-1) 600 V

 8.1. Size:532K  st
 stb6nc80z stp6nc80z.pdf pdf_icon

STP6NC60

STP6NC80Z - STP6NC80ZFP STB6NC80Z - STB6NC80Z-1 N-CHANNEL 800V - 1.5 - 5.4A TO-220/FP/D PAK/I PAK Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NC80Z/FP 800V

 8.2. Size:532K  st
 stp6nc90z.pdf pdf_icon

STP6NC60

STP6NC90Z - STP6NC90ZFP STB6NC90Z - STB6NC90Z-1 N-CHANNEL 900V - 1.55 - 5.4A TO-220/FP/D PAK/I PAK Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NC90Z 900 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP6506, STP6621, STP6623, STP6635GH, STP6N60M2, STP6N65M2, STP6N80K5, STP6NB90, 2SK3568, STP6NK60ZFP, STP6NK70Z, STP6NK90ZFP, STP6NM60N, STP6NS25, STP7401, STP7407, STP75N20