STP7401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP7401
   Código: 01YW
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.33 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.8 nC
   Tiempo de subida (tr): 3.9 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP7401

STP7401 Datasheet (PDF)

..1. Size:456K stansontech
stp7401.pdf

STP7401 P Channel Enhancement Mode MOSFET -2.8A DESCRIPTION STP7401 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and not

8.1. Size:163K semtron
stp7407.pdf

STP7407 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe STP7407 is the P-Channel logic -20V/-3.4A, RDS(ON) =88m(typ.)@VGS =-4.5V enhancement mode power field effect transistor is -20V/-2.4A, RDS(ON) =110m(typ.)@VGS =-2.5V produced using high cell density. advanced trench -20V/-1.7A, RDS(ON) =150m(typ.)@VGS =-1.8V technology to provide excellen

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Liste

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