Справочник MOSFET. STP7401

 

STP7401 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP7401
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
 

 Аналог (замена) для STP7401

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP7401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:456K  stansontech
 stp7401.pdf pdf_icon

STP7401

STP7401 P Channel Enhancement Mode MOSFET -2.8A DESCRIPTION STP7401 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and not

 8.1. Size:163K  semtron
 stp7407.pdf pdf_icon

STP7401

STP7407 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe STP7407 is the P-Channel logic -20V/-3.4A, RDS(ON) =88m(typ.)@VGS =-4.5V enhancement mode power field effect transistor is -20V/-2.4A, RDS(ON) =110m(typ.)@VGS =-2.5V produced using high cell density. advanced trench -20V/-1.7A, RDS(ON) =150m(typ.)@VGS =-1.8V technology to provide excellen

Другие MOSFET... STP6N80K5 , STP6NB90 , STP6NC60 , STP6NK60ZFP , STP6NK70Z , STP6NK90ZFP , STP6NM60N , STP6NS25 , 75N75 , STP7407 , STP75N20 , STP75N75F4 , STP75NF75FP , STP77N6F6 , STP7N105K5 , STP7N60M2 , STP7N65M2 .

History: AONS74304 | AP9962AGP-HF | MCQ15N10B | FQPF9N50T

 

 
Back to Top

 


 
.