Справочник MOSFET. STP7401

 

STP7401 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP7401
   Маркировка: 01YW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.33 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 5.8 nC
   Время нарастания (tr): 3.9 ns
   Выходная емкость (Cd): 55 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.115 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323

 Аналог (замена) для STP7401

 

 

STP7401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:456K  stansontech
 stp7401.pdf

STP7401 STP7401

STP7401 P Channel Enhancement Mode MOSFET -2.8A DESCRIPTION STP7401 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and not

 8.1. Size:163K  semtron
 stp7407.pdf

STP7401 STP7401

STP7407 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe STP7407 is the P-Channel logic -20V/-3.4A, RDS(ON) =88m(typ.)@VGS =-4.5V enhancement mode power field effect transistor is -20V/-2.4A, RDS(ON) =110m(typ.)@VGS =-2.5V produced using high cell density. advanced trench -20V/-1.7A, RDS(ON) =150m(typ.)@VGS =-1.8V technology to provide excellen

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top