STP7401. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP7401

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для STP7401

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP7401 даташит

 ..1. Size:456K  stansontech
 stp7401.pdf pdf_icon

STP7401

STP7401 P Channel Enhancement Mode MOSFET -2.8A DESCRIPTION STP7401 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and not

 8.1. Size:163K  semtron
 stp7407.pdf pdf_icon

STP7401

STP7407 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The STP7407 is the P-Channel logic -20V/-3.4A, RDS(ON) =88m (typ.)@VGS =-4.5V enhancement mode power field effect transistor is -20V/-2.4A, RDS(ON) =110m (typ.)@VGS =-2.5V produced using high cell density. advanced trench -20V/-1.7A, RDS(ON) =150m (typ.)@VGS =-1.8V technology to provide excellen

Другие IGBT... STP6N80K5, STP6NB90, STP6NC60, STP6NK60ZFP, STP6NK70Z, STP6NK90ZFP, STP6NM60N, STP6NS25, 18N50, STP7407, STP75N20, STP75N75F4, STP75NF75FP, STP77N6F6, STP7N105K5, STP7N60M2, STP7N65M2