STP7NB60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP7NB60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP7NB60 datasheet

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STP7NB60

STP7NB60 STP7NB60FP N-CHANNEL 600V - 1.0 - 7.2A TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET Table 1. General Features Figure 1. Package Type VDSS RDS(on) ID STP7NB60 600 V

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STP7NB60

STP7NB30 STP7NB30FP N - CHANNEL 300V - 0.75 - 7A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D STP7NB30 300 V

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STP7NB60

STP7NB80 STP7NB80FP N - CHANNEL 800V - 1.2 - 6.5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP7NB80 800 V

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STP7NB60

STP7NB40 STP7NB40FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP7NB40 400 V

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