Справочник MOSFET. STP7NB60

 

STP7NB60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP7NB60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для STP7NB60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP7NB60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  st
 stp7nb60.pdf pdf_icon

STP7NB60

STP7NB60STP7NB60FPN-CHANNEL 600V - 1.0 - 7.2A TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTable 1. General Features Figure 1. PackageType VDSS RDS(on) IDSTP7NB60 600 V

 8.1. Size:301K  st
 stp7nb30.pdf pdf_icon

STP7NB60

STP7NB30STP7NB30FPN - CHANNEL 300V - 0.75 - 7A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTP7NB30 300 V

 8.2. Size:337K  st
 stp7nb80-fp.pdf pdf_icon

STP7NB60

STP7NB80STP7NB80FPN - CHANNEL 800V - 1.2 - 6.5A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP7NB80 800 V

 8.3. Size:334K  st
 stp7nb40.pdf pdf_icon

STP7NB60

STP7NB40STP7NB40FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP7NB40 400 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP75N20 , STP75N75F4 , STP75NF75FP , STP77N6F6 , STP7N105K5 , STP7N60M2 , STP7N65M2 , STP7N80K5 , RU6888R , STP7NK40ZFP , STP7NM50N , STP80N10F7 , STP80N6F6 , STP80N70F6 , STP80NE03L-06 , STP80NE06-10 , STP80NF03L .

History: STQ1NK60ZR-AP | STW265N6F6AG

 

 
Back to Top

 


 
.