STP7NB60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP7NB60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP7NB60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP7NB60 даташит

 ..1. Size:276K  st
 stp7nb60.pdf pdf_icon

STP7NB60

STP7NB60 STP7NB60FP N-CHANNEL 600V - 1.0 - 7.2A TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET Table 1. General Features Figure 1. Package Type VDSS RDS(on) ID STP7NB60 600 V

 8.1. Size:301K  st
 stp7nb30.pdf pdf_icon

STP7NB60

STP7NB30 STP7NB30FP N - CHANNEL 300V - 0.75 - 7A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D STP7NB30 300 V

 8.2. Size:337K  st
 stp7nb80-fp.pdf pdf_icon

STP7NB60

STP7NB80 STP7NB80FP N - CHANNEL 800V - 1.2 - 6.5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP7NB80 800 V

 8.3. Size:334K  st
 stp7nb40.pdf pdf_icon

STP7NB60

STP7NB40 STP7NB40FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP7NB40 400 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP75N20, STP75N75F4, STP75NF75FP, STP77N6F6, STP7N105K5, STP7N60M2, STP7N65M2, STP7N80K5, AO3400A, STP7NK40ZFP, STP7NM50N, STP80N10F7, STP80N6F6, STP80N70F6, STP80NE03L-06, STP80NE06-10, STP80NF03L