Справочник MOSFET. STP7NB60

 

STP7NB60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP7NB60
   Маркировка: P7NB60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP7NB60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  st
 stp7nb60.pdf pdf_icon

STP7NB60

STP7NB60STP7NB60FPN-CHANNEL 600V - 1.0 - 7.2A TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTable 1. General Features Figure 1. PackageType VDSS RDS(on) IDSTP7NB60 600 V

 8.1. Size:301K  st
 stp7nb30.pdf pdf_icon

STP7NB60

STP7NB30STP7NB30FPN - CHANNEL 300V - 0.75 - 7A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTP7NB30 300 V

 8.2. Size:337K  st
 stp7nb80-fp.pdf pdf_icon

STP7NB60

STP7NB80STP7NB80FPN - CHANNEL 800V - 1.2 - 6.5A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP7NB80 800 V

 8.3. Size:334K  st
 stp7nb40.pdf pdf_icon

STP7NB60

STP7NB40STP7NB40FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP7NB40 400 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SI5403DC | RFD3N08LSM | MCP20N70 | HM2302BJR | SI5482DU

 

 
Back to Top

 


 
.