STQ1NK60ZR-AP Todos los transistores

 

STQ1NK60ZR-AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STQ1NK60ZR-AP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
     - Selección de transistores por parámetros

 

STQ1NK60ZR-AP Datasheet (PDF)

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STQ1NK60ZR-AP

STN1NK60ZSTQ1NK60ZR-APN-channel 600 V, 13 , 0.8 A TO-92, SOT-223Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) ID PwSTQ1NK60ZR-AP 3 W600 V

 ..2. Size:460K  st
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STQ1NK60ZR-AP

STD1LNK60Z-1STQ1NK60ZR-AP - STN1NK60ZN-channel 600V - 13 - 0.8A - TO-92 - TO-251 - SOT-223Zener-Protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTD1LNK60Z-1 600V

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STQ1NK60ZR-AP

STN1NK60Z, STQ1NK60ZRN-channel 600 V, 13 typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFETs in SOT-223 and TO-92 packagesDatasheet - production dataFeaturesVDS RDS(on)max ID PTOTOrder codes4 STN1NK60Z 3.3 W600 V 15 0.3 ASTQ1NK60ZR-AP 3 W321 100% avalanche testedSOT-223TO-92 (Ammopak) Extremely high dv/dt capability Gate charge minimized

 8.1. Size:625K  st
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STQ1NK60ZR-AP

STQ1NK80ZR-AP - STN1NK80ZSTD1NK80Z - STD1NK80Z-1N-CHANNEL 800V - 13 - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAKZener - Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID Pw2STQ1NK80ZR-AP 800 V

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History: STW27NM60ND | HUF75623P3 | IRFBA90N20DPBF | AON3806 | SSG4394N | SM3054NSU | STS4DPF30L

 

 
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