STQ1NK60ZR-AP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STQ1NK60ZR-AP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 17.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 13 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для STQ1NK60ZR-AP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STQ1NK60ZR-AP даташит

 ..1. Size:709K  st
 stq1nk60zr-ap.pdf pdf_icon

STQ1NK60ZR-AP

STN1NK60Z STQ1NK60ZR-AP N-channel 600 V, 13 , 0.8 A TO-92, SOT-223 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features Order codes VDSS RDS(on) ID Pw STQ1NK60ZR-AP 3 W 600 V

 ..2. Size:460K  st
 std1lnk60z-1 stq1nk60zr-ap stn1nk60z.pdf pdf_icon

STQ1NK60ZR-AP

STD1LNK60Z-1 STQ1NK60ZR-AP - STN1NK60Z N-channel 600V - 13 - 0.8A - TO-92 - TO-251 - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw STD1LNK60Z-1 600V

 4.1. Size:1003K  st
 stn1nk60z stq1nk60zr.pdf pdf_icon

STQ1NK60ZR-AP

 8.1. Size:625K  st
 std1nk80z-1 std1nk80zt4 stq1nk80zr-ap.pdf pdf_icon

STQ1NK60ZR-AP

STQ1NK80ZR-AP - STN1NK80Z STD1NK80Z - STD1NK80Z-1 N-CHANNEL 800V - 13 - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw 2 STQ1NK80ZR-AP 800 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP9N60M2, STP9N65M2, STP9NK50ZFP, STP9NK60ZD, STP9NK60ZFP, STP9NK80Z, STP9NM50N, STQ1HN60K3-AP, IRF1404, STQ1NK80ZR-AP, STQ2LN60K3-AP, STQ3NK50ZR-AP, STR1P2UH7, STR2N2VH5, STR2P3LLH6, STRH100N10, STRH100N6