STQ2LN60K3-AP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STQ2LN60K3-AP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm

Encapsulados: TO-92

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STQ2LN60K3-AP datasheet

 ..1. Size:813K  st
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STQ2LN60K3-AP

STQ2LN60K3-AP N-channel 600 V, 4 typ., 0.6 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-92 package Datasheet production data Features RDS(on) Order code VDSS max ID PTOT STQ2LN60K3-AP 600 V

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