STQ2LN60K3-AP Todos los transistores

 

STQ2LN60K3-AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STQ2LN60K3-AP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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STQ2LN60K3-AP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:813K  st
 stq2ln60k3-ap.pdf pdf_icon

STQ2LN60K3-AP

STQ2LN60K3-APN-channel 600 V, 4 typ., 0.6 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-92 packageDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS max ID PTOTSTQ2LN60K3-AP 600 V

Otros transistores... STP9NK50ZFP , STP9NK60ZD , STP9NK60ZFP , STP9NK80Z , STP9NM50N , STQ1HN60K3-AP , STQ1NK60ZR-AP , STQ1NK80ZR-AP , IRF640N , STQ3NK50ZR-AP , STR1P2UH7 , STR2N2VH5 , STR2P3LLH6 , STRH100N10 , STRH100N6 , STRH12P10 , STRH40N6 .

History: 2SK3313 | SWP085R06V7T | AOI4S60 | FTK1N60P

 

 
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