STQ2LN60K3-AP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STQ2LN60K3-AP
Маркировка: 2LN60K3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 8.5 ns
Выходная емкость (Cd): 22 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.5 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для STQ2LN60K3-AP
STQ2LN60K3-AP Datasheet (PDF)
..1. Size:813K st
stq2ln60k3-ap.pdf
stq2ln60k3-ap.pdf
STQ2LN60K3-APN-channel 600 V, 4 typ., 0.6 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-92 packageDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS max ID PTOTSTQ2LN60K3-AP 600 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
