Справочник MOSFET. STQ2LN60K3-AP

 

STQ2LN60K3-AP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STQ2LN60K3-AP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для STQ2LN60K3-AP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STQ2LN60K3-AP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:813K  st
 stq2ln60k3-ap.pdf pdf_icon

STQ2LN60K3-AP

STQ2LN60K3-APN-channel 600 V, 4 typ., 0.6 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-92 packageDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS max ID PTOTSTQ2LN60K3-AP 600 V

Другие MOSFET... STP9NK50ZFP , STP9NK60ZD , STP9NK60ZFP , STP9NK80Z , STP9NM50N , STQ1HN60K3-AP , STQ1NK60ZR-AP , STQ1NK80ZR-AP , IRF640N , STQ3NK50ZR-AP , STR1P2UH7 , STR2N2VH5 , STR2P3LLH6 , STRH100N10 , STRH100N6 , STRH12P10 , STRH40N6 .

 

 
Back to Top

 


 
.