STQ2LN60K3-AP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STQ2LN60K3-AP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для STQ2LN60K3-AP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STQ2LN60K3-AP даташит

 ..1. Size:813K  st
 stq2ln60k3-ap.pdf pdf_icon

STQ2LN60K3-AP

STQ2LN60K3-AP N-channel 600 V, 4 typ., 0.6 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-92 package Datasheet production data Features RDS(on) Order code VDSS max ID PTOT STQ2LN60K3-AP 600 V

Другие IGBT... STP9NK50ZFP, STP9NK60ZD, STP9NK60ZFP, STP9NK80Z, STP9NM50N, STQ1HN60K3-AP, STQ1NK60ZR-AP, STQ1NK80ZR-AP, IRFB4110, STQ3NK50ZR-AP, STR1P2UH7, STR2N2VH5, STR2P3LLH6, STRH100N10, STRH100N6, STRH12P10, STRH40N6