STR1P2UH7 Todos los transistores

 

STR1P2UH7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STR1P2UH7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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STR1P2UH7 Datasheet (PDF)

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STR1P2UH7

STR1P2UH7 P-channel 20 V, 0.087 typ., 1.4 A STripFET H7 Power MOSFET in a SOT-23 package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTR1P2UH7 20 V 0.1 @ 4.5 1.4 A Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge High avalanche ruggedness Applications Switching applications Figure 1: Internal schematic diagr

Otros transistores... STP9NK60ZFP , STP9NK80Z , STP9NM50N , STQ1HN60K3-AP , STQ1NK60ZR-AP , STQ1NK80ZR-AP , STQ2LN60K3-AP , STQ3NK50ZR-AP , 10N60 , STR2N2VH5 , STR2P3LLH6 , STRH100N10 , STRH100N6 , STRH12P10 , STRH40N6 , STRH40P10 , STRH8N10 .

History: AP2310AGN-HF | WM03P91A | KP741B

 

 
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