Справочник MOSFET. STR1P2UH7

 

STR1P2UH7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STR1P2UH7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для STR1P2UH7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STR1P2UH7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:607K  st
 str1p2uh7.pdf pdf_icon

STR1P2UH7

STR1P2UH7 P-channel 20 V, 0.087 typ., 1.4 A STripFET H7 Power MOSFET in a SOT-23 package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTR1P2UH7 20 V 0.1 @ 4.5 1.4 A Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge High avalanche ruggedness Applications Switching applications Figure 1: Internal schematic diagr

Другие MOSFET... STP9NK60ZFP , STP9NK80Z , STP9NM50N , STQ1HN60K3-AP , STQ1NK60ZR-AP , STQ1NK80ZR-AP , STQ2LN60K3-AP , STQ3NK50ZR-AP , 10N60 , STR2N2VH5 , STR2P3LLH6 , STRH100N10 , STRH100N6 , STRH12P10 , STRH40N6 , STRH40P10 , STRH8N10 .

History: WM03P51A

 

 
Back to Top

 


 
.