Справочник MOSFET. STR1P2UH7

 

STR1P2UH7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STR1P2UH7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STR1P2UH7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:607K  st
 str1p2uh7.pdf pdf_icon

STR1P2UH7

STR1P2UH7 P-channel 20 V, 0.087 typ., 1.4 A STripFET H7 Power MOSFET in a SOT-23 package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTR1P2UH7 20 V 0.1 @ 4.5 1.4 A Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge High avalanche ruggedness Applications Switching applications Figure 1: Internal schematic diagr

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FQAF16N25C | FQB3N90TM | FQAF10N80 | FQAF13N80

 

 
Back to Top

 


 
.