STR1P2UH7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STR1P2UH7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для STR1P2UH7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STR1P2UH7 даташит

 ..1. Size:607K  st
 str1p2uh7.pdf pdf_icon

STR1P2UH7

STR1P2UH7 P-channel 20 V, 0.087 typ., 1.4 A STripFET H7 Power MOSFET in a SOT-23 package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) D STR1P2UH7 20 V 0.1 @ 4.5 1.4 A Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge High avalanche ruggedness Applications Switching applications Figure 1 Internal schematic diagr

Другие IGBT... STP9NK60ZFP, STP9NK80Z, STP9NM50N, STQ1HN60K3-AP, STQ1NK60ZR-AP, STQ1NK80ZR-AP, STQ2LN60K3-AP, STQ3NK50ZR-AP, IRFP260N, STR2N2VH5, STR2P3LLH6, STRH100N10, STRH100N6, STRH12P10, STRH40N6, STRH40P10, STRH8N10