STR2N2VH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STR2N2VH5
   Código: STD1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.7 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STR2N2VH5

STR2N2VH5 Datasheet (PDF)

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str2n2vh5.pdf

STR2N2VH5N-channel 20 V, 0.025 typ., 2.3 A STripFET H5 Power MOSFET in a SOT-23 packageDatasheet production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max ID PTOTSTR2N2VH5 20 V 0.03 (VGS=4.5 V) 2.3 A 0.35 W3 Low on-resistance RDS(on)2 High avalanche ruggedness1 Low gate drive power lossSOT-23Applications Switching applicationsDescriptionFigu

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