STR2N2VH5 Todos los transistores

 

STR2N2VH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STR2N2VH5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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STR2N2VH5 Datasheet (PDF)

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STR2N2VH5

STR2N2VH5N-channel 20 V, 0.025 typ., 2.3 A STripFET H5 Power MOSFET in a SOT-23 packageDatasheet production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max ID PTOTSTR2N2VH5 20 V 0.03 (VGS=4.5 V) 2.3 A 0.35 W3 Low on-resistance RDS(on)2 High avalanche ruggedness1 Low gate drive power lossSOT-23Applications Switching applicationsDescriptionFigu

Otros transistores... STP9NK80Z , STP9NM50N , STQ1HN60K3-AP , STQ1NK60ZR-AP , STQ1NK80ZR-AP , STQ2LN60K3-AP , STQ3NK50ZR-AP , STR1P2UH7 , IRF3710 , STR2P3LLH6 , STRH100N10 , STRH100N6 , STRH12P10 , STRH40N6 , STRH40P10 , STRH8N10 , STS10P3LLH6 .

History: S10H16RN | 2SK1942 | 2SK4143-S17-AY | NVA4001N | AP6N100J | SQJ488EP | IXTM4N45

 

 
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