STR2N2VH5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STR2N2VH5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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STR2N2VH5 datasheet

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STR2N2VH5

STR2N2VH5 N-channel 20 V, 0.025 typ., 2.3 A STripFET H5 Power MOSFET in a SOT-23 package Datasheet production data Features Order code VDS RDS(on) max ID PTOT STR2N2VH5 20 V 0.03 (VGS=4.5 V) 2.3 A 0.35 W 3 Low on-resistance RDS(on) 2 High avalanche ruggedness 1 Low gate drive power loss SOT-23 Applications Switching applications Description Figu

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