STR2N2VH5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STR2N2VH5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для STR2N2VH5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STR2N2VH5 даташит

 ..1. Size:877K  st
 str2n2vh5.pdf pdf_icon

STR2N2VH5

STR2N2VH5 N-channel 20 V, 0.025 typ., 2.3 A STripFET H5 Power MOSFET in a SOT-23 package Datasheet production data Features Order code VDS RDS(on) max ID PTOT STR2N2VH5 20 V 0.03 (VGS=4.5 V) 2.3 A 0.35 W 3 Low on-resistance RDS(on) 2 High avalanche ruggedness 1 Low gate drive power loss SOT-23 Applications Switching applications Description Figu

Другие IGBT... STP9NK80Z, STP9NM50N, STQ1HN60K3-AP, STQ1NK60ZR-AP, STQ1NK80ZR-AP, STQ2LN60K3-AP, STQ3NK50ZR-AP, STR1P2UH7, AO3400, STR2P3LLH6, STRH100N10, STRH100N6, STRH12P10, STRH40N6, STRH40P10, STRH8N10, STS10P3LLH6