Справочник MOSFET. STR2N2VH5

 

STR2N2VH5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STR2N2VH5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для STR2N2VH5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STR2N2VH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:877K  st
 str2n2vh5.pdf pdf_icon

STR2N2VH5

STR2N2VH5N-channel 20 V, 0.025 typ., 2.3 A STripFET H5 Power MOSFET in a SOT-23 packageDatasheet production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max ID PTOTSTR2N2VH5 20 V 0.03 (VGS=4.5 V) 2.3 A 0.35 W3 Low on-resistance RDS(on)2 High avalanche ruggedness1 Low gate drive power lossSOT-23Applications Switching applicationsDescriptionFigu

Другие MOSFET... STP9NK80Z , STP9NM50N , STQ1HN60K3-AP , STQ1NK60ZR-AP , STQ1NK80ZR-AP , STQ2LN60K3-AP , STQ3NK50ZR-AP , STR1P2UH7 , IRF3710 , STR2P3LLH6 , STRH100N10 , STRH100N6 , STRH12P10 , STRH40N6 , STRH40P10 , STRH8N10 , STS10P3LLH6 .

History: RJK0316DPA | IRF7749L2TRPBF | 2SK3070 | AP18P10GS | AP4N2R6S | JCS40N25WC | SE6020DB

 

 
Back to Top

 


 
.