STR2P3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STR2P3LLH6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de STR2P3LLH6 MOSFET
STR2P3LLH6 Datasheet (PDF)
str2p3llh6.pdf

STR2P3LLH6 P-channel 30 V, 0.048 typ., 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTR2P3LLH6 30 V 0.056 @ 10 V 2 A Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Figure 1: Internal
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Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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