STR2P3LLH6 Todos los transistores

 

STR2P3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STR2P3LLH6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de STR2P3LLH6 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STR2P3LLH6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  st
 str2p3llh6.pdf pdf_icon

STR2P3LLH6

STR2P3LLH6 P-channel 30 V, 0.048 typ., 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTR2P3LLH6 30 V 0.056 @ 10 V 2 A Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Figure 1: Internal

Otros transistores... STP9NM50N , STQ1HN60K3-AP , STQ1NK60ZR-AP , STQ1NK80ZR-AP , STQ2LN60K3-AP , STQ3NK50ZR-AP , STR1P2UH7 , STR2N2VH5 , IRF3710 , STRH100N10 , STRH100N6 , STRH12P10 , STRH40N6 , STRH40P10 , STRH8N10 , STS10P3LLH6 , STS10P4LLF6 .

History: NCEP40P80G | PE597BA | CEM3109 | PE5B5DX | PE5F7EA | FDWS9509L-F085

 

 
Back to Top

 


 
.