STR2P3LLH6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STR2P3LLH6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для STR2P3LLH6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STR2P3LLH6 даташит

 ..1. Size:541K  st
 str2p3llh6.pdf pdf_icon

STR2P3LLH6

STR2P3LLH6 P-channel 30 V, 0.048 typ., 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) D STR2P3LLH6 30 V 0.056 @ 10 V 2 A Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Figure 1 Internal

Другие IGBT... STP9NM50N, STQ1HN60K3-AP, STQ1NK60ZR-AP, STQ1NK80ZR-AP, STQ2LN60K3-AP, STQ3NK50ZR-AP, STR1P2UH7, STR2N2VH5, IRFB4227, STRH100N10, STRH100N6, STRH12P10, STRH40N6, STRH40P10, STRH8N10, STS10P3LLH6, STS10P4LLF6