Справочник MOSFET. STR2P3LLH6

 

STR2P3LLH6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STR2P3LLH6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для STR2P3LLH6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STR2P3LLH6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  st
 str2p3llh6.pdf pdf_icon

STR2P3LLH6

STR2P3LLH6 P-channel 30 V, 0.048 typ., 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTR2P3LLH6 30 V 0.056 @ 10 V 2 A Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Figure 1: Internal

Другие MOSFET... STP9NM50N , STQ1HN60K3-AP , STQ1NK60ZR-AP , STQ1NK80ZR-AP , STQ2LN60K3-AP , STQ3NK50ZR-AP , STR1P2UH7 , STR2N2VH5 , AON6414A , STRH100N10 , STRH100N6 , STRH12P10 , STRH40N6 , STRH40P10 , STRH8N10 , STS10P3LLH6 , STS10P4LLF6 .

 

 
Back to Top

 


 
.