STRH40P10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STRH40P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 635 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: TO-254AA

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STRH40P10 datasheet

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STRH40P10

STRH40P10 Rad-Hard P-channel 100 V, 34 A Power MOSFET Datasheet - production data Features VBDSS ID RDS(on) Qg 100 V 34 A 0.060 Ohm 162 nC Fast switching 100% avalanche tested 3 Hermetic package 2 1 100 krad TID TO-254AA SEE radiation hardened Applications Figure 1. Internal schematic diagram Satellite High reliability D (1) Description This P

 8.1. Size:706K  st
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STRH40P10

STRH40N6 Rad-Hard N-channel 60 V, 30 A Power MOSFET Datasheet - production data Features VBDSS ID RDS(on) Qg 60 V 30 A 36 mOhm 43 nC Fast switching 100% avalanche tested Hermetic package 70 krad TID SMD.5 SEE radiation hardened Applications Satellite Figure 1. Internal schematic diagram High reliability Description This N-channel Power MOSFET is dev

Otros transistores... STQ3NK50ZR-AP, STR1P2UH7, STR2N2VH5, STR2P3LLH6, STRH100N10, STRH100N6, STRH12P10, STRH40N6, 2N7000, STRH8N10, STS10P3LLH6, STS10P4LLF6, STS10PF30L, STS12NH3LL, STS15N4LLF3, STS15N4LLF5, STS17NF3LL