Справочник MOSFET. STRH40P10

 

STRH40P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STRH40P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO-254AA
 

 Аналог (замена) для STRH40P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STRH40P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:695K  st
 strh40p10.pdf pdf_icon

STRH40P10

STRH40P10Rad-Hard P-channel 100 V, 34 A Power MOSFETDatasheet - production dataFeaturesVBDSS ID RDS(on)Qg100 V 34 A 0.060 Ohm 162 nC Fast switching 100% avalanche tested3 Hermetic package21 100 krad TIDTO-254AA SEE radiation hardenedApplicationsFigure 1. Internal schematic diagram Satellite High reliabilityD (1)DescriptionThis P

 8.1. Size:706K  st
 strh40n6.pdf pdf_icon

STRH40P10

STRH40N6Rad-Hard N-channel 60 V, 30 A Power MOSFETDatasheet - production dataFeaturesVBDSS ID RDS(on) Qg60 V 30 A 36 mOhm 43 nC Fast switching 100% avalanche tested Hermetic package 70 krad TIDSMD.5 SEE radiation hardenedApplications SatelliteFigure 1. Internal schematic diagram High reliabilityDescriptionThis N-channel Power MOSFET is dev

Другие MOSFET... STQ3NK50ZR-AP , STR1P2UH7 , STR2N2VH5 , STR2P3LLH6 , STRH100N10 , STRH100N6 , STRH12P10 , STRH40N6 , IRF9540 , STRH8N10 , STS10P3LLH6 , STS10P4LLF6 , STS10PF30L , STS12NH3LL , STS15N4LLF3 , STS15N4LLF5 , STS17NF3LL .

History: AP9465AGJ | PJF9NA90

 

 
Back to Top

 


 
.