STRH40P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STRH40P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO-254AA

Аналог (замена) для STRH40P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STRH40P10 даташит

 ..1. Size:695K  st
 strh40p10.pdf pdf_icon

STRH40P10

STRH40P10 Rad-Hard P-channel 100 V, 34 A Power MOSFET Datasheet - production data Features VBDSS ID RDS(on) Qg 100 V 34 A 0.060 Ohm 162 nC Fast switching 100% avalanche tested 3 Hermetic package 2 1 100 krad TID TO-254AA SEE radiation hardened Applications Figure 1. Internal schematic diagram Satellite High reliability D (1) Description This P

 8.1. Size:706K  st
 strh40n6.pdf pdf_icon

STRH40P10

STRH40N6 Rad-Hard N-channel 60 V, 30 A Power MOSFET Datasheet - production data Features VBDSS ID RDS(on) Qg 60 V 30 A 36 mOhm 43 nC Fast switching 100% avalanche tested Hermetic package 70 krad TID SMD.5 SEE radiation hardened Applications Satellite Figure 1. Internal schematic diagram High reliability Description This N-channel Power MOSFET is dev

Другие IGBT... STQ3NK50ZR-AP, STR1P2UH7, STR2N2VH5, STR2P3LLH6, STRH100N10, STRH100N6, STRH12P10, STRH40N6, 2N7000, STRH8N10, STS10P3LLH6, STS10P4LLF6, STS10PF30L, STS12NH3LL, STS15N4LLF3, STS15N4LLF5, STS17NF3LL