Справочник MOSFET. STRH40P10

 

STRH40P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STRH40P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 162 nC
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO-254AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STRH40P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:695K  st
 strh40p10.pdf pdf_icon

STRH40P10

STRH40P10Rad-Hard P-channel 100 V, 34 A Power MOSFETDatasheet - production dataFeaturesVBDSS ID RDS(on)Qg100 V 34 A 0.060 Ohm 162 nC Fast switching 100% avalanche tested3 Hermetic package21 100 krad TIDTO-254AA SEE radiation hardenedApplicationsFigure 1. Internal schematic diagram Satellite High reliabilityD (1)DescriptionThis P

 8.1. Size:706K  st
 strh40n6.pdf pdf_icon

STRH40P10

STRH40N6Rad-Hard N-channel 60 V, 30 A Power MOSFETDatasheet - production dataFeaturesVBDSS ID RDS(on) Qg60 V 30 A 36 mOhm 43 nC Fast switching 100% avalanche tested Hermetic package 70 krad TIDSMD.5 SEE radiation hardenedApplications SatelliteFigure 1. Internal schematic diagram High reliabilityDescriptionThis N-channel Power MOSFET is dev

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STP90NF03L | HY3210PM

 

 
Back to Top

 


 
.