STRH40P10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STRH40P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 162 nC
trⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: TO-254AA
STRH40P10 Datasheet (PDF)
strh40p10.pdf
STRH40P10Rad-Hard P-channel 100 V, 34 A Power MOSFETDatasheet - production dataFeaturesVBDSS ID RDS(on)Qg100 V 34 A 0.060 Ohm 162 nC Fast switching 100% avalanche tested3 Hermetic package21 100 krad TIDTO-254AA SEE radiation hardenedApplicationsFigure 1. Internal schematic diagram Satellite High reliabilityD (1)DescriptionThis P
strh40n6.pdf
STRH40N6Rad-Hard N-channel 60 V, 30 A Power MOSFETDatasheet - production dataFeaturesVBDSS ID RDS(on) Qg60 V 30 A 36 mOhm 43 nC Fast switching 100% avalanche tested Hermetic package 70 krad TIDSMD.5 SEE radiation hardenedApplications SatelliteFigure 1. Internal schematic diagram High reliabilityDescriptionThis N-channel Power MOSFET is dev
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F