STRH8N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STRH8N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: SMD0.5

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STRH8N10 datasheet

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STRH8N10

STRH8N10 Rad-Hard 100 V, 6 A N-channel Power MOSFET Datasheet - production data Features VDSS ID RDS(on) Qg 100 V 6 A 0.30 22 nC Fast switching 100% avalanche tested Hermetic package 70 krad TID SMD0.5 SEE radiation hardened Applications Figure 1. Internal schematic diagram Satellite High reliability Description This N-channel Power MOSFET is deve

Otros transistores... STR1P2UH7, STR2N2VH5, STR2P3LLH6, STRH100N10, STRH100N6, STRH12P10, STRH40N6, STRH40P10, P55NF06, STS10P3LLH6, STS10P4LLF6, STS10PF30L, STS12NH3LL, STS15N4LLF3, STS15N4LLF5, STS17NF3LL, STS17NH3LL