STRH8N10 - аналоги и даташиты транзистора

 

STRH8N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STRH8N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SMD0.5
 

 Аналог (замена) для STRH8N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STRH8N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:798K  st
 strh8n10.pdf pdf_icon

STRH8N10

STRH8N10Rad-Hard 100 V, 6 A N-channel Power MOSFETDatasheet - production dataFeaturesVDSS ID RDS(on) Qg100 V 6 A 0.30 22 nC Fast switching 100% avalanche tested Hermetic package 70 krad TIDSMD0.5 SEE radiation hardenedApplicationsFigure 1. Internal schematic diagram Satellite High reliability DescriptionThis N-channel Power MOSFET is deve

Другие MOSFET... STR1P2UH7 , STR2N2VH5 , STR2P3LLH6 , STRH100N10 , STRH100N6 , STRH12P10 , STRH40N6 , STRH40P10 , IRFB4115 , STS10P3LLH6 , STS10P4LLF6 , STS10PF30L , STS12NH3LL , STS15N4LLF3 , STS15N4LLF5 , STS17NF3LL , STS17NH3LL .

History: OSG60R075HSZF

 

 
Back to Top

 


 
.