STRH8N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STRH8N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SMD0.5

Аналог (замена) для STRH8N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STRH8N10 даташит

 ..1. Size:798K  st
 strh8n10.pdf pdf_icon

STRH8N10

STRH8N10 Rad-Hard 100 V, 6 A N-channel Power MOSFET Datasheet - production data Features VDSS ID RDS(on) Qg 100 V 6 A 0.30 22 nC Fast switching 100% avalanche tested Hermetic package 70 krad TID SMD0.5 SEE radiation hardened Applications Figure 1. Internal schematic diagram Satellite High reliability Description This N-channel Power MOSFET is deve

Другие IGBT... STR1P2UH7, STR2N2VH5, STR2P3LLH6, STRH100N10, STRH100N6, STRH12P10, STRH40N6, STRH40P10, P55NF06, STS10P3LLH6, STS10P4LLF6, STS10PF30L, STS12NH3LL, STS15N4LLF3, STS15N4LLF5, STS17NF3LL, STS17NH3LL