STS3P6F6 Todos los transistores

 

STS3P6F6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS3P6F6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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STS3P6F6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:928K  st
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STS3P6F6

STS3P6F6P-channel 60 V, 0.13 typ., 3 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on)max ID567 STN3P6F6 60 V 0.16 @ 10 V 3 A8 RDS(on) * Qg industry benchmark4 Extremely low on-resistance RDS(on)321 High avalanche ruggednessSO-8 Low gate drive power lossesApplications Switching

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