STS3P6F6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS3P6F6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
- Selección de transistores por parámetros
STS3P6F6 Datasheet (PDF)
sts3p6f6.pdf

STS3P6F6P-channel 60 V, 0.13 typ., 3 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on)max ID567 STN3P6F6 60 V 0.16 @ 10 V 3 A8 RDS(on) * Qg industry benchmark4 Extremely low on-resistance RDS(on)321 High avalanche ruggednessSO-8 Low gate drive power lossesApplications Switching
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: AP4411GM-HF | IRFN150SMD | SI7946ADP | SMK0765F | IRLHS6242PBF | 2N6904 | TPCS8212
History: AP4411GM-HF | IRFN150SMD | SI7946ADP | SMK0765F | IRLHS6242PBF | 2N6904 | TPCS8212



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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