STS3P6F6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS3P6F6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: SO-8

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STS3P6F6 datasheet

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STS3P6F6

STS3P6F6 P-channel 60 V, 0.13 typ., 3 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - production data Features Order code VDSS RDS(on)max ID 5 6 7 STN3P6F6 60 V 0.16 @ 10 V 3 A 8 RDS(on) * Qg industry benchmark 4 Extremely low on-resistance RDS(on) 3 2 1 High avalanche ruggedness SO-8 Low gate drive power losses Applications Switching

Otros transistores... STS12NH3LL, STS15N4LLF3, STS15N4LLF5, STS17NF3LL, STS17NH3LL, STS1HNK60, STS25NH3LL, STS2DPFS20V, IRLB4132, STS4DNFS30, STS4DPFS30L, STS5DP3LLH6, STS5P3LLH6, STS5PF20V, STS6P3LLH6, STS6PF30L, STS7P4LLF6