STS3P6F6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS3P6F6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для STS3P6F6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS3P6F6 даташит

 ..1. Size:928K  st
 sts3p6f6.pdf pdf_icon

STS3P6F6

STS3P6F6 P-channel 60 V, 0.13 typ., 3 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - production data Features Order code VDSS RDS(on)max ID 5 6 7 STN3P6F6 60 V 0.16 @ 10 V 3 A 8 RDS(on) * Qg industry benchmark 4 Extremely low on-resistance RDS(on) 3 2 1 High avalanche ruggedness SO-8 Low gate drive power losses Applications Switching

Другие IGBT... STS12NH3LL, STS15N4LLF3, STS15N4LLF5, STS17NF3LL, STS17NH3LL, STS1HNK60, STS25NH3LL, STS2DPFS20V, IRLB4132, STS4DNFS30, STS4DPFS30L, STS5DP3LLH6, STS5P3LLH6, STS5PF20V, STS6P3LLH6, STS6PF30L, STS7P4LLF6