STS3P6F6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STS3P6F6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для STS3P6F6
STS3P6F6 Datasheet (PDF)
sts3p6f6.pdf

STS3P6F6P-channel 60 V, 0.13 typ., 3 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on)max ID567 STN3P6F6 60 V 0.16 @ 10 V 3 A8 RDS(on) * Qg industry benchmark4 Extremely low on-resistance RDS(on)321 High avalanche ruggednessSO-8 Low gate drive power lossesApplications Switching
Другие MOSFET... STS12NH3LL , STS15N4LLF3 , STS15N4LLF5 , STS17NF3LL , STS17NH3LL , STS1HNK60 , STS25NH3LL , STS2DPFS20V , IRLB4132 , STS4DNFS30 , STS4DPFS30L , STS5DP3LLH6 , STS5P3LLH6 , STS5PF20V , STS6P3LLH6 , STS6PF30L , STS7P4LLF6 .
History: AOP609 | VBE165R10 | CEM3032 | CSD17506Q5A | AFN04N60T220T | IXFA36N20X3 | P5506BVA
History: AOP609 | VBE165R10 | CEM3032 | CSD17506Q5A | AFN04N60T220T | IXFA36N20X3 | P5506BVA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP70P03DF | AP70P03D | AP70P02D | AP70N12NF | AP70N12D | AP70N06HD | AP70N04NF | AP70N03NF | AP70N02NF | AP70N02DF | AP6P06MI | AP6P03SI | AP6N40D | AP6N12MI | AP6N10MI | AP5N10SI
Popular searches
k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet