STS9NH3LL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS9NH3LL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de STS9NH3LL MOSFET
STS9NH3LL Datasheet (PDF)
sts9nh3ll.pdf
STS9NH3LLN-channel 30 V - 0.018 - 9 A - SO-8low gate charge STripFET III Power MOSFETFeatures RDS(on) Type VDSS IDmaxSTS9NH3LL 30 V 0.022 9 A Optimal RDS(on) x Qg trade-off @ 4.5 V Conduction losses reducedSO-8 Switching losses reducedApplication Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis application specific
sts9nf30l.pdf
STS9NF30LN-CHANNEL 30V - 0.015 - 9A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS9NF30L 30 V
sts9nf3ll.pdf
STS9NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.016 - 9A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS9NF3LL 30 V
Otros transistores... STS4DPFS30L , STS5DP3LLH6 , STS5P3LLH6 , STS5PF20V , STS6P3LLH6 , STS6PF30L , STS7P4LLF6 , STS8C6H3LL , 12N60 , STS9P2UH7 , STSJ100NH3LL , STSJ100NHS3LL , STSJ25NF3LL , STSJ50NH3LL , STSJ60NH3LL , STT2PF60L , STT3P2UH7 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d

