STS9NH3LL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS9NH3LL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для STS9NH3LL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS9NH3LL даташит

 ..1. Size:349K  st
 sts9nh3ll.pdf pdf_icon

STS9NH3LL

STS9NH3LL N-channel 30 V - 0.018 - 9 A - SO-8 low gate charge STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STS9NH3LL 30 V 0.022 9 A Optimal RDS(on) x Qg trade-off @ 4.5 V Conduction losses reduced SO-8 Switching losses reduced Application Switching applications Description Figure 1. Internal schematic diagram This application specific

 9.1. Size:281K  st
 sts9nf30l.pdf pdf_icon

STS9NH3LL

STS9NF30L N-CHANNEL 30V - 0.015 - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS9NF30L 30 V

 9.2. Size:278K  st
 sts9nf3ll.pdf pdf_icon

STS9NH3LL

STS9NF3LL N-CHANNEL 30V - 0.016 - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS9NF3LL 30 V

Другие IGBT... STS4DPFS30L, STS5DP3LLH6, STS5P3LLH6, STS5PF20V, STS6P3LLH6, STS6PF30L, STS7P4LLF6, STS8C6H3LL, 12N60, STS9P2UH7, STSJ100NH3LL, STSJ100NHS3LL, STSJ25NF3LL, STSJ50NH3LL, STSJ60NH3LL, STT2PF60L, STT3P2UH7