Справочник MOSFET. STS9NH3LL

 

STS9NH3LL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS9NH3LL
   Маркировка: S9NH3LL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для STS9NH3LL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS9NH3LL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  st
sts9nh3ll.pdfpdf_icon

STS9NH3LL

STS9NH3LLN-channel 30 V - 0.018 - 9 A - SO-8low gate charge STripFET III Power MOSFETFeatures RDS(on) Type VDSS IDmaxSTS9NH3LL 30 V 0.022 9 A Optimal RDS(on) x Qg trade-off @ 4.5 V Conduction losses reducedSO-8 Switching losses reducedApplication Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis application specific

 9.1. Size:281K  st
sts9nf30l.pdfpdf_icon

STS9NH3LL

STS9NF30LN-CHANNEL 30V - 0.015 - 9A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS9NF30L 30 V

 9.2. Size:278K  st
sts9nf3ll.pdfpdf_icon

STS9NH3LL

STS9NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.016 - 9A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS9NF3LL 30 V

Другие MOSFET... STS4DPFS30L , STS5DP3LLH6 , STS5P3LLH6 , STS5PF20V , STS6P3LLH6 , STS6PF30L , STS7P4LLF6 , STS8C6H3LL , 4N60 , STS9P2UH7 , STSJ100NH3LL , STSJ100NHS3LL , STSJ25NF3LL , STSJ50NH3LL , STSJ60NH3LL , STT2PF60L , STT3P2UH7 .

History: NCEP0212F | BUK7Y3R5-40E

 

 
Back to Top

 


 
.