STS9P2UH7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS9P2UH7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0225 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de STS9P2UH7 MOSFET
STS9P2UH7 Datasheet (PDF)
sts9p2uh7.pdf

STS9P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 9 A STripFET H7 Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - production data Features 58Order code V R max I DS DS(on) DSTS9P2UH7 20 V 0.0225 @ 4.5 V 9 A 41 Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge SO-8 High avalanche ruggedness Ultra logic level Figure 1: Internal schematic diagram
Otros transistores... STS5DP3LLH6 , STS5P3LLH6 , STS5PF20V , STS6P3LLH6 , STS6PF30L , STS7P4LLF6 , STS8C6H3LL , STS9NH3LL , 4435 , STSJ100NH3LL , STSJ100NHS3LL , STSJ25NF3LL , STSJ50NH3LL , STSJ60NH3LL , STT2PF60L , STT3P2UH7 , STT3PF30L .
History: FDPC5018SG | SI8413DB | FDPF52N20T | FDBL0150N80 | FDBL0210N80
History: FDPC5018SG | SI8413DB | FDPF52N20T | FDBL0150N80 | FDBL0210N80



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50
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