STS9P2UH7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS9P2UH7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0225 Ohm

Encapsulados: SO-8

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STS9P2UH7 datasheet

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STS9P2UH7

STS9P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 9 A STripFET H7 Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - production data Features 5 8 Order code V R max I DS DS(on) D STS9P2UH7 20 V 0.0225 @ 4.5 V 9 A 4 1 Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge SO-8 High avalanche ruggedness Ultra logic level Figure 1 Internal schematic diagram

Otros transistores... STS5DP3LLH6, STS5P3LLH6, STS5PF20V, STS6P3LLH6, STS6PF30L, STS7P4LLF6, STS8C6H3LL, STS9NH3LL, 5N65, STSJ100NH3LL, STSJ100NHS3LL, STSJ25NF3LL, STSJ50NH3LL, STSJ60NH3LL, STT2PF60L, STT3P2UH7, STT3PF30L