Справочник MOSFET. STS9P2UH7

 

STS9P2UH7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STS9P2UH7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для STS9P2UH7

 

 

STS9P2UH7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:549K  st
 sts9p2uh7.pdf

STS9P2UH7 STS9P2UH7

STS9P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 9 A STripFET H7 Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - production data Features 58Order code V R max I DS DS(on) DSTS9P2UH7 20 V 0.0225 @ 4.5 V 9 A 41 Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge SO-8 High avalanche ruggedness Ultra logic level Figure 1: Internal schematic diagram

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top