STS9P2UH7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS9P2UH7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для STS9P2UH7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS9P2UH7 даташит

 ..1. Size:549K  st
 sts9p2uh7.pdf pdf_icon

STS9P2UH7

STS9P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 9 A STripFET H7 Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - production data Features 5 8 Order code V R max I DS DS(on) D STS9P2UH7 20 V 0.0225 @ 4.5 V 9 A 4 1 Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge SO-8 High avalanche ruggedness Ultra logic level Figure 1 Internal schematic diagram

Другие IGBT... STS5DP3LLH6, STS5P3LLH6, STS5PF20V, STS6P3LLH6, STS6PF30L, STS7P4LLF6, STS8C6H3LL, STS9NH3LL, 5N65, STSJ100NH3LL, STSJ100NHS3LL, STSJ25NF3LL, STSJ50NH3LL, STSJ60NH3LL, STT2PF60L, STT3P2UH7, STT3PF30L