Справочник MOSFET. STS9P2UH7

 

STS9P2UH7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS9P2UH7
   Маркировка: 9L2U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STS9P2UH7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:549K  st
 sts9p2uh7.pdf pdf_icon

STS9P2UH7

STS9P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 9 A STripFET H7 Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - production data Features 58Order code V R max I DS DS(on) DSTS9P2UH7 20 V 0.0225 @ 4.5 V 9 A 41 Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge SO-8 High avalanche ruggedness Ultra logic level Figure 1: Internal schematic diagram

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STS3402 | STS2DPFS20V

 

 
Back to Top

 


 
.