Справочник MOSFET. STS9P2UH7

 

STS9P2UH7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STS9P2UH7
   Маркировка: 9L2U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.7 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
   Время нарастания (tr): 30.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 220 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0225 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для STS9P2UH7

 

 

STS9P2UH7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:549K  st
 sts9p2uh7.pdf

STS9P2UH7 STS9P2UH7

STS9P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 9 A STripFET H7 Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - production data Features 58Order code V R max I DS DS(on) DSTS9P2UH7 20 V 0.0225 @ 4.5 V 9 A 41 Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge SO-8 High avalanche ruggedness Ultra logic level Figure 1: Internal schematic diagram

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top