Справочник MOSFET. STS9P2UH7

 

STS9P2UH7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS9P2UH7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для STS9P2UH7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS9P2UH7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:549K  st
 sts9p2uh7.pdf pdf_icon

STS9P2UH7

STS9P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 9 A STripFET H7 Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - production data Features 58Order code V R max I DS DS(on) DSTS9P2UH7 20 V 0.0225 @ 4.5 V 9 A 41 Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge SO-8 High avalanche ruggedness Ultra logic level Figure 1: Internal schematic diagram

Другие MOSFET... STS5DP3LLH6 , STS5P3LLH6 , STS5PF20V , STS6P3LLH6 , STS6PF30L , STS7P4LLF6 , STS8C6H3LL , STS9NH3LL , 4435 , STSJ100NH3LL , STSJ100NHS3LL , STSJ25NF3LL , STSJ50NH3LL , STSJ60NH3LL , STT2PF60L , STT3P2UH7 , STT3PF30L .

History: FHD4N65B | AU5N60S | SH8J62

 

 
Back to Top

 


 
.