STT4P3LLH6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STT4P3LLH6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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STT4P3LLH6 datasheet

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STT4P3LLH6

STT4P3LLH6 P-Channel 30 V, 0.048 typ., 4 A STripFET H6 DeepGATE Power MOSFET in an SOT23-6L package Datasheet - preliminary data Features 4 Order code VDS RDS(on) max ID 5 STT4P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 4 A 6 3 2 Very low on-resistance RDS(on) 1 Very low gate charge High avalanche ruggedness SOT23-6L Low gate drive power loss Figure 1. Internal sch

 9.1. Size:188K  st
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STT4P3LLH6

STT4PF20V P-CHANNEL 20V - 0.090 - 3A SOT23-6L 2.7V-DRIVE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID

Otros transistores... STSJ100NH3LL, STSJ100NHS3LL, STSJ25NF3LL, STSJ50NH3LL, STSJ60NH3LL, STT2PF60L, STT3P2UH7, STT3PF30L, IRFP450, STT4PF20V, STT5N2VH5, STT5PF20V, STT6N3LLH6, STT7P2UH7, STU10N60M2, STU10NM65N, STU10P6F6