STT4P3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STT4P3LLH6
   Código: 4K3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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STT4P3LLH6 Datasheet (PDF)

..1. Size:435K st
stt4p3llh6.pdf

STT4P3LLH6P-Channel 30 V, 0.048 typ., 4 A STripFET H6 DeepGATEPower MOSFET in an SOT23-6L packageDatasheet - preliminary dataFeatures4Order code VDS RDS(on) max ID5STT4P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 4 A 632 Very low on-resistance RDS(on)1 Very low gate charge High avalanche ruggednessSOT23-6L Low gate drive power lossFigure 1. Internal sch

9.1. Size:188K st
stt4pf20v.pdf