STT4P3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STT4P3LLH6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de STT4P3LLH6 MOSFET
STT4P3LLH6 Datasheet (PDF)
stt4p3llh6.pdf
STT4P3LLH6P-Channel 30 V, 0.048 typ., 4 A STripFET H6 DeepGATEPower MOSFET in an SOT23-6L packageDatasheet - preliminary dataFeatures4Order code VDS RDS(on) max ID5STT4P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 4 A 632 Very low on-resistance RDS(on)1 Very low gate charge High avalanche ruggednessSOT23-6L Low gate drive power lossFigure 1. Internal sch
stt4pf20v.pdf
STT4PF20VP-CHANNEL 20V - 0.090 - 3A SOT23-6L2.7V-DRIVE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID
Otros transistores... STSJ100NH3LL , STSJ100NHS3LL , STSJ25NF3LL , STSJ50NH3LL , STSJ60NH3LL , STT2PF60L , STT3P2UH7 , STT3PF30L , IRF1407 , STT4PF20V , STT5N2VH5 , STT5PF20V , STT6N3LLH6 , STT7P2UH7 , STU10N60M2 , STU10NM65N , STU10P6F6 .
History: SIHFB20N50K | 2SK2109 | PTP20N40B
History: SIHFB20N50K | 2SK2109 | PTP20N40B
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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