Справочник MOSFET. STT4P3LLH6

 

STT4P3LLH6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT4P3LLH6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для STT4P3LLH6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT4P3LLH6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:435K  st
 stt4p3llh6.pdf pdf_icon

STT4P3LLH6

STT4P3LLH6P-Channel 30 V, 0.048 typ., 4 A STripFET H6 DeepGATEPower MOSFET in an SOT23-6L packageDatasheet - preliminary dataFeatures4Order code VDS RDS(on) max ID5STT4P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 4 A 632 Very low on-resistance RDS(on)1 Very low gate charge High avalanche ruggednessSOT23-6L Low gate drive power lossFigure 1. Internal sch

 9.1. Size:188K  st
 stt4pf20v.pdf pdf_icon

STT4P3LLH6

STT4PF20VP-CHANNEL 20V - 0.090 - 3A SOT23-6L2.7V-DRIVE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID

Другие MOSFET... STSJ100NH3LL , STSJ100NHS3LL , STSJ25NF3LL , STSJ50NH3LL , STSJ60NH3LL , STT2PF60L , STT3P2UH7 , STT3PF30L , IRF1407 , STT4PF20V , STT5N2VH5 , STT5PF20V , STT6N3LLH6 , STT7P2UH7 , STU10N60M2 , STU10NM65N , STU10P6F6 .

History: BSC100N10NSFG | AP9926 | 2SK3492

 

 
Back to Top

 


 
.