STT4PF20V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STT4PF20V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.6 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.6 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.8 nC
   Tiempo de subida (tr): 39 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STT4PF20V

STT4PF20V Datasheet (PDF)

..1. Size:188K st
stt4pf20v.pdf

STT4PF20VP-CHANNEL 20V - 0.090 - 3A SOT23-6L2.7V-DRIVE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID

9.1. Size:435K st
stt4p3llh6.pdf

STT4P3LLH6P-Channel 30 V, 0.048 typ., 4 A STripFET H6 DeepGATEPower MOSFET in an SOT23-6L packageDatasheet - preliminary dataFeatures4Order code VDS RDS(on) max ID5STT4P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 4 A 632 Very low on-resistance RDS(on)1 Very low gate charge High avalanche ruggednessSOT23-6L Low gate drive power lossFigure 1. Internal sch

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Liste

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