STT4PF20V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STT4PF20V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для STT4PF20V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT4PF20V даташит

 ..1. Size:188K  st
 stt4pf20v.pdf pdf_icon

STT4PF20V

STT4PF20V P-CHANNEL 20V - 0.090 - 3A SOT23-6L 2.7V-DRIVE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID

 9.1. Size:435K  st
 stt4p3llh6.pdf pdf_icon

STT4PF20V

STT4P3LLH6 P-Channel 30 V, 0.048 typ., 4 A STripFET H6 DeepGATE Power MOSFET in an SOT23-6L package Datasheet - preliminary data Features 4 Order code VDS RDS(on) max ID 5 STT4P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 4 A 6 3 2 Very low on-resistance RDS(on) 1 Very low gate charge High avalanche ruggedness SOT23-6L Low gate drive power loss Figure 1. Internal sch

Другие IGBT... STSJ100NHS3LL, STSJ25NF3LL, STSJ50NH3LL, STSJ60NH3LL, STT2PF60L, STT3P2UH7, STT3PF30L, STT4P3LLH6, TK10A60D, STT5N2VH5, STT5PF20V, STT6N3LLH6, STT7P2UH7, STU10N60M2, STU10NM65N, STU10P6F6, STU11N65M2