Справочник MOSFET. STT4PF20V

 

STT4PF20V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT4PF20V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STT4PF20V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  st
 stt4pf20v.pdf pdf_icon

STT4PF20V

STT4PF20VP-CHANNEL 20V - 0.090 - 3A SOT23-6L2.7V-DRIVE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID

 9.1. Size:435K  st
 stt4p3llh6.pdf pdf_icon

STT4PF20V

STT4P3LLH6P-Channel 30 V, 0.048 typ., 4 A STripFET H6 DeepGATEPower MOSFET in an SOT23-6L packageDatasheet - preliminary dataFeatures4Order code VDS RDS(on) max ID5STT4P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 4 A 632 Very low on-resistance RDS(on)1 Very low gate charge High avalanche ruggednessSOT23-6L Low gate drive power lossFigure 1. Internal sch

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SJMN600R70MD | AP9971GM | AP2N050G | STP3NK60Z | IPA65R125C7 | SL9435A | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.