STT5N2VH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STT5N2VH5
   Código: STD1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.6 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.7 V
   Carga de la puerta (Qg): 4.6 nC
   Tiempo de subida (tr): 14.4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 92 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STT5N2VH5

STT5N2VH5 Datasheet (PDF)

..1. Size:839K st
stt5n2vh5.pdf

STT5N2VH5N-channel 20 V, 0.025 typ., 5 A STripFET V Power MOSFET in a SOT23-6L packageDatasheet production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max ID PTOTSTT5N2VH5 20 V 0.04 (VGS=2.5 V) 5 A 1.6 W45 Very low profile package632 Conduction losses reduced1 Switching losses reducedSOT23-6L 2.5 V gate drive Very low threshold deviceAp

9.1. Size:421K st
stt5nf20v.pdf