STT5N2VH5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STT5N2VH5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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STT5N2VH5 datasheet

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STT5N2VH5

STT5N2VH5 N-channel 20 V, 0.025 typ., 5 A STripFET V Power MOSFET in a SOT23-6L package Datasheet production data Features Order code VDS RDS(on) max ID PTOT STT5N2VH5 20 V 0.04 (VGS=2.5 V) 5 A 1.6 W 4 5 Very low profile package 6 3 2 Conduction losses reduced 1 Switching losses reduced SOT23-6L 2.5 V gate drive Very low threshold device Ap

 9.1. Size:421K  st
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STT5N2VH5

STT5NF20V N-channel 20 V, 0.030 , 5 A SOT23-6L 2.5 V drive STripFET II Power MOSFET Preliminary data Features Type VDSS RDS(on) ID

Otros transistores... STSJ25NF3LL, STSJ50NH3LL, STSJ60NH3LL, STT2PF60L, STT3P2UH7, STT3PF30L, STT4P3LLH6, STT4PF20V, AO4407, STT5PF20V, STT6N3LLH6, STT7P2UH7, STU10N60M2, STU10NM65N, STU10P6F6, STU11N65M2, STU11N65M5