STT5N2VH5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STT5N2VH5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для STT5N2VH5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT5N2VH5 даташит

 ..1. Size:839K  st
 stt5n2vh5.pdf pdf_icon

STT5N2VH5

STT5N2VH5 N-channel 20 V, 0.025 typ., 5 A STripFET V Power MOSFET in a SOT23-6L package Datasheet production data Features Order code VDS RDS(on) max ID PTOT STT5N2VH5 20 V 0.04 (VGS=2.5 V) 5 A 1.6 W 4 5 Very low profile package 6 3 2 Conduction losses reduced 1 Switching losses reduced SOT23-6L 2.5 V gate drive Very low threshold device Ap

 9.1. Size:421K  st
 stt5nf20v.pdf pdf_icon

STT5N2VH5

STT5NF20V N-channel 20 V, 0.030 , 5 A SOT23-6L 2.5 V drive STripFET II Power MOSFET Preliminary data Features Type VDSS RDS(on) ID

Другие IGBT... STSJ25NF3LL, STSJ50NH3LL, STSJ60NH3LL, STT2PF60L, STT3P2UH7, STT3PF30L, STT4P3LLH6, STT4PF20V, AO4407, STT5PF20V, STT6N3LLH6, STT7P2UH7, STU10N60M2, STU10NM65N, STU10P6F6, STU11N65M2, STU11N65M5