STT5N2VH5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STT5N2VH5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для STT5N2VH5
STT5N2VH5 Datasheet (PDF)
stt5n2vh5.pdf
STT5N2VH5N-channel 20 V, 0.025 typ., 5 A STripFET V Power MOSFET in a SOT23-6L packageDatasheet production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max ID PTOTSTT5N2VH5 20 V 0.04 (VGS=2.5 V) 5 A 1.6 W45 Very low profile package632 Conduction losses reduced1 Switching losses reducedSOT23-6L 2.5 V gate drive Very low threshold deviceAp
stt5nf20v.pdf
STT5NF20VN-channel 20 V, 0.030 , 5 A SOT23-6L2.5 V drive STripFET II Power MOSFETPreliminary dataFeaturesType VDSS RDS(on) ID
Другие MOSFET... STSJ25NF3LL , STSJ50NH3LL , STSJ60NH3LL , STT2PF60L , STT3P2UH7 , STT3PF30L , STT4P3LLH6 , STT4PF20V , P60NF06 , STT5PF20V , STT6N3LLH6 , STT7P2UH7 , STU10N60M2 , STU10NM65N , STU10P6F6 , STU11N65M2 , STU11N65M5 .
History: P1203EEA | MTN3N60J3 | IRF624A | IRF440
History: P1203EEA | MTN3N60J3 | IRF624A | IRF440
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50
Popular searches
2n2924 | mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet