STT6N3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STT6N3LLH6
Código: STG1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 3.6 nC
Tiempo de subida (tr): 11.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 61 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
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STT6N3LLH6 Datasheet (PDF)
stt6n3llh6.pdf
STT6N3LLH6N-channel 30 V, 0.021 typ., 6 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a SOT23-6L packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max ID PTOT 0.025 (VGS= 10 V)4STT6N3LLH6 30 V 6 A 1.6 W50.036 63(VGS= 4.5 V)21 RDS(on) * Qg industry benchmarkSOT23-6L Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedn
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