STT6N3LLH6 Todos los transistores

 

STT6N3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT6N3LLH6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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STT6N3LLH6 Datasheet (PDF)

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STT6N3LLH6

STT6N3LLH6N-channel 30 V, 0.021 typ., 6 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a SOT23-6L packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max ID PTOT 0.025 (VGS= 10 V)4STT6N3LLH6 30 V 6 A 1.6 W50.036 63(VGS= 4.5 V)21 RDS(on) * Qg industry benchmarkSOT23-6L Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedn

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