STT6N3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STT6N3LLH6
Código: STG1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 3.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STT6N3LLH6
STT6N3LLH6 Datasheet (PDF)
stt6n3llh6.pdf
STT6N3LLH6N-channel 30 V, 0.021 typ., 6 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a SOT23-6L packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max ID PTOT 0.025 (VGS= 10 V)4STT6N3LLH6 30 V 6 A 1.6 W50.036 63(VGS= 4.5 V)21 RDS(on) * Qg industry benchmarkSOT23-6L Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedn
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