STT6N3LLH6 Todos los transistores

 

STT6N3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STT6N3LLH6

Código: STG1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.6 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V

Carga de compuerta (Qg): 3.6 nC

Tiempo de elevación (tr): 11.2 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 61 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.025 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STT6N3LLH6

 

STT6N3LLH6 Datasheet (PDF)

1.1. stt6n3llh6.pdf Size:1055K _upd

STT6N3LLH6
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STT6N3LLH6 N-channel 30 V, 0.021 Ω typ., 6 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in a SOT23-6L package Datasheet - production data Features Order code VDSS RDS(on) max ID PTOT 0.025 Ω (VGS= 10 V) 4 STT6N3LLH6 30 V 6 A 1.6 W 5 0.036 Ω 6 3 (VGS= 4.5 V) 2 1 • RDS(on) * Qg industry benchmark SOT23-6L • Extremely low on-resistance RDS(on) • High avalanche ruggedn

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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