STT6N3LLH6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STT6N3LLH6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для STT6N3LLH6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT6N3LLH6 даташит

 ..1. Size:1055K  st
 stt6n3llh6.pdf pdf_icon

STT6N3LLH6

STT6N3LLH6 N-channel 30 V, 0.021 typ., 6 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a SOT23-6L package Datasheet - production data Features Order code VDSS RDS(on) max ID PTOT 0.025 (VGS= 10 V) 4 STT6N3LLH6 30 V 6 A 1.6 W 5 0.036 6 3 (VGS= 4.5 V) 2 1 RDS(on) * Qg industry benchmark SOT23-6L Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedn

Другие IGBT... STSJ60NH3LL, STT2PF60L, STT3P2UH7, STT3PF30L, STT4P3LLH6, STT4PF20V, STT5N2VH5, STT5PF20V, 4N60, STT7P2UH7, STU10N60M2, STU10NM65N, STU10P6F6, STU11N65M2, STU11N65M5, STU12N60M2, STU13N60M2