Справочник MOSFET. STT6N3LLH6

 

STT6N3LLH6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT6N3LLH6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для STT6N3LLH6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT6N3LLH6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1055K  st
 stt6n3llh6.pdf pdf_icon

STT6N3LLH6

STT6N3LLH6N-channel 30 V, 0.021 typ., 6 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a SOT23-6L packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max ID PTOT 0.025 (VGS= 10 V)4STT6N3LLH6 30 V 6 A 1.6 W50.036 63(VGS= 4.5 V)21 RDS(on) * Qg industry benchmarkSOT23-6L Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedn

Другие MOSFET... STSJ60NH3LL , STT2PF60L , STT3P2UH7 , STT3PF30L , STT4P3LLH6 , STT4PF20V , STT5N2VH5 , STT5PF20V , 10N65 , STT7P2UH7 , STU10N60M2 , STU10NM65N , STU10P6F6 , STU11N65M2 , STU11N65M5 , STU12N60M2 , STU13N60M2 .

 

 
Back to Top

 


 
.