STT7P2UH7 Todos los transistores

 

STT7P2UH7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT7P2UH7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0225 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de STT7P2UH7 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STT7P2UH7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:483K  st
 stt7p2uh7.pdf pdf_icon

STT7P2UH7

STT7P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 7 A STripFET H7 Power MOSFET in a SOT23-6L package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge High avalanche ruggedness Applications Switching applications SOT23-6L Description This P-channel Power MOSFET utilizes the STripFET H7 technology with a trench gate Figure

Otros transistores... STT2PF60L , STT3P2UH7 , STT3PF30L , STT4P3LLH6 , STT4PF20V , STT5N2VH5 , STT5PF20V , STT6N3LLH6 , STF13NM60N , STU10N60M2 , STU10NM65N , STU10P6F6 , STU11N65M2 , STU11N65M5 , STU12N60M2 , STU13N60M2 , STU13N65M2 .

History: 2SK630

 

 
Back to Top

 


 
.