STT7P2UH7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STT7P2UH7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для STT7P2UH7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT7P2UH7 даташит

 ..1. Size:483K  st
 stt7p2uh7.pdf pdf_icon

STT7P2UH7

STT7P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 7 A STripFET H7 Power MOSFET in a SOT23-6L package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge High avalanche ruggedness Applications Switching applications SOT23-6L Description This P-channel Power MOSFET utilizes the STripFET H7 technology with a trench gate Figure

Другие IGBT... STT2PF60L, STT3P2UH7, STT3PF30L, STT4P3LLH6, STT4PF20V, STT5N2VH5, STT5PF20V, STT6N3LLH6, IRFP250, STU10N60M2, STU10NM65N, STU10P6F6, STU11N65M2, STU11N65M5, STU12N60M2, STU13N60M2, STU13N65M2