Справочник MOSFET. STT7P2UH7

 

STT7P2UH7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT7P2UH7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для STT7P2UH7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT7P2UH7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:483K  st
 stt7p2uh7.pdf pdf_icon

STT7P2UH7

STT7P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 7 A STripFET H7 Power MOSFET in a SOT23-6L package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge High avalanche ruggedness Applications Switching applications SOT23-6L Description This P-channel Power MOSFET utilizes the STripFET H7 technology with a trench gate Figure

Другие MOSFET... STT2PF60L , STT3P2UH7 , STT3PF30L , STT4P3LLH6 , STT4PF20V , STT5N2VH5 , STT5PF20V , STT6N3LLH6 , STF13NM60N , STU10N60M2 , STU10NM65N , STU10P6F6 , STU11N65M2 , STU11N65M5 , STU12N60M2 , STU13N60M2 , STU13N65M2 .

History: PSMN5R0-100PS | CMRDM3590

 

 
Back to Top

 


 
.