STU13NM60N Todos los transistores

 

STU13NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STU13NM60N
   Código: 13NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 90 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 27 nC
   Tiempo de subida (tr): 8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET STU13NM60N

 

STU13NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:984K  st
stu13nm60n.pdf

STU13NM60N STU13NM60N

STF13NM60N, STI13NM60N, STP13NM60N,STU13NM60N, STW13NM60NN-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, IPAK, TO-220, IPAK, TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max3322 1STF13NM60N 1IPAKTO-220FPSTI13NM60NSTP13NM60N 650 V

 ..2. Size:984K  st
stf13nm60n sti13nm60n stp13nm60n stu13nm60n stw13nm60n.pdf

STU13NM60N STU13NM60N

STF13NM60N, STI13NM60N, STP13NM60N,STU13NM60N, STW13NM60NN-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, IPAK, TO-220, IPAK, TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max3322 1STF13NM60N 1IPAKTO-220FPSTI13NM60NSTP13NM60N 650 V

 8.1. Size:136K  st
stu13nb60.pdf

STU13NM60N STU13NM60N

STU13NB60N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTU13NB60 600 V

 8.2. Size:1256K  st
stp13n60m2 stu13n60m2 stw13n60m2.pdf

STU13NM60N STU13NM60N

STP13N60M2, STU13N60M2, STW13N60M2N-channel 600 V, 0.35 typ., 11 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220, IPAK and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID321STP13N60M2321IPAKSTU13N60M2 650 V 0.38 11 ATO-220STW13N60M2 Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous g

 8.3. Size:545K  st
stp13n65m2 stu13n65m2.pdf

STU13NM60N STU13NM60N

STP13N65M2, STU13N65M2N-channel 650 V, 0.37 typ.,10 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS IDmaxTABSTP13N65M2TAB650 V 0.43 10ASTU13N65M232132 Extremely low gate charge1TO-220 Excellent output capacitance (Coss) profileIPAK 100% avalanche tested Zener-pr

 8.4. Size:258K  st
stu13nc50.pdf

STU13NM60N STU13NM60N

STU13NC50N-CHANNEL 500V - 0.31 - 13A Max220PowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTU13NC50 500V

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


STU13NM60N
  STU13NM60N
  STU13NM60N
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: MRF5035 | MRF5015 | MRF5007R1 | MRF5007 | MRF5003 | MRF275G | MRF184S | MRF184 | MRF177M | MRF177 | MRF176GV | MRF176GU | MRF175LV | MRF175LU | MRF175GV | MRF175GU

 

 

 
Back to Top