STU13NM60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU13NM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для STU13NM60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU13NM60N даташит

 ..1. Size:984K  st
 stu13nm60n.pdf pdf_icon

STU13NM60N

STF13NM60N, STI13NM60N, STP13NM60N, STU13NM60N, STW13NM60N N-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, I PAK, TO-220, IPAK, TO-247 packages Datasheet production data Features TAB VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max 3 3 2 2 1 STF13NM60N 1 I PAK TO-220FP STI13NM60N STP13NM60N 650 V

 ..2. Size:984K  st
 stf13nm60n sti13nm60n stp13nm60n stu13nm60n stw13nm60n.pdf pdf_icon

STU13NM60N

STF13NM60N, STI13NM60N, STP13NM60N, STU13NM60N, STW13NM60N N-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, I PAK, TO-220, IPAK, TO-247 packages Datasheet production data Features TAB VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max 3 3 2 2 1 STF13NM60N 1 I PAK TO-220FP STI13NM60N STP13NM60N 650 V

 8.1. Size:136K  st
 stu13nb60.pdf pdf_icon

STU13NM60N

STU13NB60 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STU13NB60 600 V

 8.2. Size:1256K  st
 stp13n60m2 stu13n60m2 stw13n60m2.pdf pdf_icon

STU13NM60N

STP13N60M2, STU13N60M2, STW13N60M2 N-channel 600 V, 0.35 typ., 11 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220, IPAK and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID 3 2 1 STP13N60M2 3 2 1 IPAK STU13N60M2 650 V 0.38 11 A TO-220 STW13N60M2 Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous g

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STU10N60M2, STU10NM65N, STU10P6F6, STU11N65M2, STU11N65M5, STU12N60M2, STU13N60M2, STU13N65M2, 20N50, STU16N60M2, STU16N65M2, STU1HN60K3, STU2LN60K3, STU2N105K5, STU2N80K5, STU2N95K5, STU3N80K5