STU1HN60K3 Todos los transistores

 

STU1HN60K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STU1HN60K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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STU1HN60K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1441K  st
 std1hn60k3 stu1hn60k3.pdf pdf_icon

STU1HN60K3

STD1HN60K3, STU1HN60K3N-channel 600 V, 6.7 typ., 1.2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDS max ID PTOTSTD1HN60K3TABTAB600 V 8 1.2 A 27 WSTU1HN60K333121 100% avalanche testedDPAKIPAK Extremely high dv/dt capability Gate charge minimized Very low intrinsic capac

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History: IPB65R190C6 | NCE4963 | 24NM60G-TF2-T | 24NM60L-TQ2-T | CS8N65P | MTB30P06VT4G

 

 
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