STU1HN60K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU1HN60K3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: IPAK

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STU1HN60K3 datasheet

 ..1. Size:1441K  st
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STU1HN60K3

STD1HN60K3, STU1HN60K3 N-channel 600 V, 6.7 typ., 1.2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK and IPAK packages Datasheet - production data Features RDS(on) Order codes VDS max ID PTOT STD1HN60K3 TAB TAB 600 V 8 1.2 A 27 W STU1HN60K3 3 3 1 2 1 100% avalanche tested DPAK IPAK Extremely high dv/dt capability Gate charge minimized Very low intrinsic capac

Otros transistores... STU11N65M2, STU11N65M5, STU12N60M2, STU13N60M2, STU13N65M2, STU13NM60N, STU16N60M2, STU16N65M2, STF13NM60N, STU2LN60K3, STU2N105K5, STU2N80K5, STU2N95K5, STU3N80K5, STU4N80K5, STU5N60M2, STU60N3LH5-S