STU1HN60K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STU1HN60K3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
Тип корпуса: IPAK
Аналог (замена) для STU1HN60K3
STU1HN60K3 Datasheet (PDF)
std1hn60k3 stu1hn60k3.pdf

STD1HN60K3, STU1HN60K3N-channel 600 V, 6.7 typ., 1.2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDS max ID PTOTSTD1HN60K3TABTAB600 V 8 1.2 A 27 WSTU1HN60K333121 100% avalanche testedDPAKIPAK Extremely high dv/dt capability Gate charge minimized Very low intrinsic capac
Другие MOSFET... STU11N65M2 , STU11N65M5 , STU12N60M2 , STU13N60M2 , STU13N65M2 , STU13NM60N , STU16N60M2 , STU16N65M2 , IRF2807 , STU2LN60K3 , STU2N105K5 , STU2N80K5 , STU2N95K5 , STU3N80K5 , STU4N80K5 , STU5N60M2 , STU60N3LH5-S .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945