Справочник MOSFET. STU1HN60K3

 

STU1HN60K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STU1HN60K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для STU1HN60K3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU1HN60K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1441K  st
 std1hn60k3 stu1hn60k3.pdf pdf_icon

STU1HN60K3

STD1HN60K3, STU1HN60K3N-channel 600 V, 6.7 typ., 1.2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDS max ID PTOTSTD1HN60K3TABTAB600 V 8 1.2 A 27 WSTU1HN60K333121 100% avalanche testedDPAKIPAK Extremely high dv/dt capability Gate charge minimized Very low intrinsic capac

Другие MOSFET... STU11N65M2 , STU11N65M5 , STU12N60M2 , STU13N60M2 , STU13N65M2 , STU13NM60N , STU16N60M2 , STU16N65M2 , IRF2807 , STU2LN60K3 , STU2N105K5 , STU2N80K5 , STU2N95K5 , STU3N80K5 , STU4N80K5 , STU5N60M2 , STU60N3LH5-S .

History: HSCE2530 | MSQ5N50 | STU16N65M2 | WMQ20N06TS | IRF842FI | 4N80G-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.