STU1HN60K3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU1HN60K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для STU1HN60K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU1HN60K3 даташит

 ..1. Size:1441K  st
 std1hn60k3 stu1hn60k3.pdf pdf_icon

STU1HN60K3

STD1HN60K3, STU1HN60K3 N-channel 600 V, 6.7 typ., 1.2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK and IPAK packages Datasheet - production data Features RDS(on) Order codes VDS max ID PTOT STD1HN60K3 TAB TAB 600 V 8 1.2 A 27 W STU1HN60K3 3 3 1 2 1 100% avalanche tested DPAK IPAK Extremely high dv/dt capability Gate charge minimized Very low intrinsic capac

Другие IGBT... STU11N65M2, STU11N65M5, STU12N60M2, STU13N60M2, STU13N65M2, STU13NM60N, STU16N60M2, STU16N65M2, STF13NM60N, STU2LN60K3, STU2N105K5, STU2N80K5, STU2N95K5, STU3N80K5, STU4N80K5, STU5N60M2, STU60N3LH5-S