STU9HN65M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STU9HN65M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 4.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 16 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.82 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
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STU9HN65M2 Datasheet (PDF)
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STU9HN65M2 N-channel 600 V, 0.71 typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in an IPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DTABSTU9HN65M2 600 V 0.82 5.5 A Extremely low gate charge 32 Excellent output capacitance (COSS) profile 1 100% avalanche tested Zener-protected IPAKApplications Switching applic
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