STU9HN65M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STU9HN65M2
   Código: 9HN65M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.82 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK

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STU9HN65M2 Datasheet (PDF)

..1. Size:404K st
stu9hn65m2.pdf

STU9HN65M2 N-channel 600 V, 0.71 typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in an IPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DTABSTU9HN65M2 600 V 0.82 5.5 A Extremely low gate charge 32 Excellent output capacitance (COSS) profile 1 100% avalanche tested Zener-protected IPAKApplications Switching applic

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Liste

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