STU9HN65M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU9HN65M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.82 Ohm

Encapsulados: IPAK

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STU9HN65M2 datasheet

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STU9HN65M2

STU9HN65M2 N-channel 600 V, 0.71 typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in an IPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D TAB STU9HN65M2 600 V 0.82 5.5 A Extremely low gate charge 3 2 Excellent output capacitance (COSS) profile 1 100% avalanche tested Zener-protected IPAK Applications Switching applic

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