STU9HN65M2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STU9HN65M2
Маркировка: 9HN65M2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11.5 nC
Время нарастания (tr): 4.6 ns
Выходная емкость (Cd): 16 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.82 Ohm
Тип корпуса: IPAK
Аналог (замена) для STU9HN65M2
STU9HN65M2 Datasheet (PDF)
..1. Size:404K st
stu9hn65m2.pdf
stu9hn65m2.pdf
STU9HN65M2 N-channel 600 V, 0.71 typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in an IPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DTABSTU9HN65M2 600 V 0.82 5.5 A Extremely low gate charge 32 Excellent output capacitance (COSS) profile 1 100% avalanche tested Zener-protected IPAKApplications Switching applic
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
