Справочник MOSFET. STU9HN65M2

 

STU9HN65M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STU9HN65M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.82 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для STU9HN65M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU9HN65M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:404K  st
 stu9hn65m2.pdf pdf_icon

STU9HN65M2

STU9HN65M2 N-channel 600 V, 0.71 typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in an IPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DTABSTU9HN65M2 600 V 0.82 5.5 A Extremely low gate charge 32 Excellent output capacitance (COSS) profile 1 100% avalanche tested Zener-protected IPAKApplications Switching applic

Другие MOSFET... STU7N105K5 , STU7N60M2 , STU7N65M2 , STU7N80K5 , STU7NF25 , STU80N4F6 , STU8N80K5 , STU95N4F3 , 2N7002 , STU9N60M2 , STU9N65M2 , IRFR420APBF , IRFR420B , IRFR420PBF , IRFR430A , IRFR430APBF , IRFR4510PBF .

History: IRF6218 | IXFP72N20X3M | IXFY36N20X3 | SSG9575 | R6030ENZ | IRHY67434CM | G08N06S

 

 
Back to Top

 


 
.