STU9HN65M2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU9HN65M2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.82 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для STU9HN65M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU9HN65M2 даташит

 ..1. Size:404K  st
 stu9hn65m2.pdf pdf_icon

STU9HN65M2

STU9HN65M2 N-channel 600 V, 0.71 typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in an IPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D TAB STU9HN65M2 600 V 0.82 5.5 A Extremely low gate charge 3 2 Excellent output capacitance (COSS) profile 1 100% avalanche tested Zener-protected IPAK Applications Switching applic

Другие IGBT... STU7N105K5, STU7N60M2, STU7N65M2, STU7N80K5, STU7NF25, STU80N4F6, STU8N80K5, STU95N4F3, MMIS60R580P, STU9N60M2, STU9N65M2, IRFR420APBF, IRFR420B, IRFR420PBF, IRFR430A, IRFR430APBF, IRFR4510PBF