IRFS3507PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFS3507PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 97 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 81 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm

Encapsulados: TO-263

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IRFS3507PBF datasheet

 ..1. Size:430K  international rectifier
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IRFS3507PBF

PD - 95935B IRFB3507PbF IRFS3507PbF IRFSL3507PbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 75V l High Speed Power Switching RDS(on) typ. 7.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits l Lead-Free G max. 8.8m ID 97A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness S S S

 ..2. Size:430K  international rectifier
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IRFS3507PBF

PD - 95935B IRFB3507PbF IRFS3507PbF IRFSL3507PbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 75V l High Speed Power Switching RDS(on) typ. 7.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits l Lead-Free G max. 8.8m ID 97A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness S S S

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IRFS3507PBF

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IRFS3507PBF

IRFS350A FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 11.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 400V Low RDS(ON) 0.254 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Character

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