Справочник MOSFET. IRFS3507PBF

 

IRFS3507PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS3507PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 97 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 88 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IRFS3507PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS3507PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  international rectifier
irfb3507pbf irfs3507pbf irfsl3507pbf.pdfpdf_icon

IRFS3507PBF

PD - 95935BIRFB3507PbFIRFS3507PbFIRFSL3507PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power Supply DVDSS75Vl High Speed Power SwitchingRDS(on) typ.7.0ml Hard Switched and High Frequency Circuitsl Lead-FreeG max. 8.8mID97ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRuggednessSSS

 ..2. Size:430K  international rectifier
irfs3507pbf.pdfpdf_icon

IRFS3507PBF

PD - 95935BIRFB3507PbFIRFS3507PbFIRFSL3507PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power Supply DVDSS75Vl High Speed Power SwitchingRDS(on) typ.7.0ml Hard Switched and High Frequency Circuitsl Lead-FreeG max. 8.8mID97ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRuggednessSSS

 7.1. Size:187K  1
irfs350.pdfpdf_icon

IRFS3507PBF

 7.2. Size:235K  1
irfs350a.pdfpdf_icon

IRFS3507PBF

IRFS350AFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 11.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3PF Lower Leakage Current: 10A (Max.) @ VDS = 400V Low RDS(ON): 0.254 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Character

Другие MOSFET... IRFS31N20DPBF , IRFS3206PBF , IRFS3207PBF , IRFS3207ZPBF , IRFS3306PBF , IRFS3307PBF , IRFS3307ZPBF , IRFS33N15DPBF , 4N60 , IRFS3607PBF , IRFS3806PBF , IRFS38N20DPBF , IRFS4010-7PPBF , IRFS4010PBF , IRFS4020PBF , IRFS4115-7PPBF , IRFS4115PBF .

History: SML100B11F

 

 
Back to Top

 


 
.