STB100NF04T4 Todos los transistores

 

STB100NF04T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB100NF04T4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 220 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB100NF04T4 Datasheet (PDF)

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STB100NF04T4

STP100NF04STB100NF04N-channel 40V - 0.0043 - 120A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTP100NF04 40V

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STB100NF04T4

STB100NF04LN-CHANNEL 40V - 0.0036 - 100A D2PAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB100NF04L 40 V

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STB100NF04T4

STP100NF04STB100NF04N-channel 40V - 0.0043 - 120A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTP100NF04 40V

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STB100NF04T4

STB100NF04www.VBsemi.twN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.005 at VGS = 10 V 10040 53 nC 100 % Rg and UIS tested0.006 at VGS = 4.5 V 98 Material categorization:for definitions of compliance please see DTO-263GSSSDDG

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History: HGP024N08S | IRL60S216

 

 
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