STB100NF04T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB100NF04T4
   Código: B100NF04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 110 nC
   Tiempo de subida (tr): 220 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1300 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB100NF04T4

STB100NF04T4 Datasheet (PDF)

..1. Size:395K st
stb100nf04t4.pdf

STP100NF04STB100NF04N-channel 40V - 0.0043 - 120A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTP100NF04 40V

4.1. Size:338K st
stb100nf04l.pdf

STB100NF04LN-CHANNEL 40V - 0.0036 - 100A D2PAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB100NF04L 40 V

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STP100NF04STB100NF04N-channel 40V - 0.0043 - 120A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTP100NF04 40V

4.3. Size:1472K cn vbsemi
stb100nf04.pdf

STB100NF04www.VBsemi.twN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.005 at VGS = 10 V 10040 53 nC 100 % Rg and UIS tested0.006 at VGS = 4.5 V 98 Material categorization:for definitions of compliance please see DTO-263GSSSDDG

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