STB100NF04T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB100NF04T4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 220 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB100NF04T4 datasheet

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STB100NF04T4

STP100NF04 STB100NF04 N-channel 40V - 0.0043 - 120A - TO-220 - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STP100NF04 40V

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STB100NF04T4

STB100NF04L N-CHANNEL 40V - 0.0036 - 100A D2PAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB100NF04L 40 V

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STB100NF04T4

STP100NF04 STB100NF04 N-channel 40V - 0.0043 - 120A - TO-220 - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STP100NF04 40V

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STB100NF04T4

STB100NF04 www.VBsemi.tw N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature 0.005 at VGS = 10 V 100 40 53 nC 100 % Rg and UIS tested 0.006 at VGS = 4.5 V 98 Material categorization for definitions of compliance please see D TO-263 G S S S D D G

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