STB100NF04T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB100NF04T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB100NF04T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB100NF04T4 даташит

 ..1. Size:395K  st
 stb100nf04t4.pdf pdf_icon

STB100NF04T4

STP100NF04 STB100NF04 N-channel 40V - 0.0043 - 120A - TO-220 - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STP100NF04 40V

 4.1. Size:338K  st
 stb100nf04l.pdf pdf_icon

STB100NF04T4

STB100NF04L N-CHANNEL 40V - 0.0036 - 100A D2PAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB100NF04L 40 V

 4.2. Size:398K  st
 stb100nf04 stp100nf04.pdf pdf_icon

STB100NF04T4

STP100NF04 STB100NF04 N-channel 40V - 0.0043 - 120A - TO-220 - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STP100NF04 40V

 4.3. Size:1472K  cn vbsemi
 stb100nf04.pdf pdf_icon

STB100NF04T4

STB100NF04 www.VBsemi.tw N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature 0.005 at VGS = 10 V 100 40 53 nC 100 % Rg and UIS tested 0.006 at VGS = 4.5 V 98 Material categorization for definitions of compliance please see D TO-263 G S S S D D G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS4229PBF, IRFS4310PBF, IRFS4310ZPBF, IRFS4321-7PPBF, IRFS4321PBF, STB100N10F7, STB100NF03L-03-1, STB100NF03L-03T4, SI2302, STB100NH02LT4, STB10N60M2, STB10N65K3, STB10N95K5, STB10NK60Z-1, STB10NK60ZT4, STB11N65M5, STB11NK40ZT4