STB10N65K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB10N65K3

Código: 10N65K3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB10N65K3 datasheet

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STB10N65K3

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STB10N65K3

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STB10N65K3

STB10N60M2, STD10N60M2, STP10N60M2, STU10N60M2 N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D PAK, DPAK, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB TAB RDS(on) 3 Order codes VDS @ TJmax max ID 1 3 1 DPAK STB10N60M2 D 2 PAK STD10N60M2 650 V 0.600 7.5 A STP10N60M2 TAB TAB STU10N60M2 3 Extremely low gate ch

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STB10N65K3

STB10N95K5, STF10N95K5, STP10N95K5, STW10N95K5 N-channel 950 V, 0.65 typ., 8 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFETs in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 Datasheet - production data TAB Features 3 Order codes VDS RDS(on) max ID PTOT 1 2 3 D PAK STB10N95K5 130 W 2 1 STF10N95K5 30 W TO-220FP 950 V 0.8 8 A STP10N95K5 TAB 130 W STW10N95K5 Worldwide best FOM

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