STB10N65K3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STB10N65K3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STB10N65K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB10N65K3 даташит

 ..1. Size:1300K  st
stb10n65k3 stfi10n65k3 stp10n65k3.pdfpdf_icon

STB10N65K3

 7.1. Size:1627K  st
stb10n60m2 std10n60m2 stp10n60m2 stu10n60m2.pdfpdf_icon

STB10N65K3

STB10N60M2, STD10N60M2, STP10N60M2, STU10N60M2 N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D PAK, DPAK, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB TAB RDS(on) 3 Order codes VDS @ TJmax max ID 1 3 1 DPAK STB10N60M2 D 2 PAK STD10N60M2 650 V 0.600 7.5 A STP10N60M2 TAB TAB STU10N60M2 3 Extremely low gate ch

 8.1. Size:1328K  st
stb10n95k5 stf10n95k5 stp10n95k5 stw10n95k5.pdfpdf_icon

STB10N65K3

STB10N95K5, STF10N95K5, STP10N95K5, STW10N95K5 N-channel 950 V, 0.65 typ., 8 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFETs in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 Datasheet - production data TAB Features 3 Order codes VDS RDS(on) max ID PTOT 1 2 3 D PAK STB10N95K5 130 W 2 1 STF10N95K5 30 W TO-220FP 950 V 0.8 8 A STP10N95K5 TAB 130 W STW10N95K5 Worldwide best FOM

Другие IGBT... IRFS4321-7PPBF, IRFS4321PBF, STB100N10F7, STB100NF03L-03-1, STB100NF03L-03T4, STB100NF04T4, STB100NH02LT4, STB10N60M2, 20N50, STB10N95K5, STB10NK60Z-1, STB10NK60ZT4, STB11N65M5, STB11NK40ZT4, STB11NK50ZT4, STB11NM60-1, STB11NM60FD-1