STB15NK50ZT4 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STB15NK50ZT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB15NK50ZT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 264 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB15NK50ZT4 datasheet

..1. Size:498K st
stb15nk50zt4 stp15nk50zfp.pdf pdf_icon

STP15NK50Z/FP - STB15NK50Z STB15NK50Z-1 - STW15NK50Z N-channel 500V - 0.30 - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 STP15NK50Z 500V

4.1. Size:498K st
stp15nk50zfp stb15nk50z stb15nk50z-1 stw15nk50z.pdf pdf_icon

4.2. Size:503K st
stp15nk50z stp15nk50zfp stb15nk50z stb15nk50z-1 stw15nk50z.pdf pdf_icon

8.1. Size:504K st
stb15nm65n sti15nm65n stf15nm65n stp15nm65n stw15nm65n.pdf pdf_icon

STF15NM65N-STI15NM65N-STW15NM65N STB15NM65N-STP15NM65N N-channel 650V - 0.25 - 15.5A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) Max ID (@Tjmax) 3 2 3 1 2 1 STB15NM65N 710 V