STB15NK50ZT4 - аналоги, параметры транзистора

STB15NK50ZT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB15NK50ZT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 264 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB15NK50ZT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

STB15NK50ZT4 даташит

..1. Size:498K st
stb15nk50zt4 stp15nk50zfp.pdf pdf_icon

STP15NK50Z/FP - STB15NK50Z STB15NK50Z-1 - STW15NK50Z N-channel 500V - 0.30 - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 STP15NK50Z 500V

4.1. Size:498K st
stp15nk50zfp stb15nk50z stb15nk50z-1 stw15nk50z.pdf pdf_icon

4.2. Size:503K st
stp15nk50z stp15nk50zfp stb15nk50z stb15nk50z-1 stw15nk50z.pdf pdf_icon

8.1. Size:504K st
stb15nm65n sti15nm65n stf15nm65n stp15nm65n stw15nm65n.pdf pdf_icon

STF15NM65N-STI15NM65N-STW15NM65N STB15NM65N-STP15NM65N N-channel 650V - 0.25 - 15.5A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) Max ID (@Tjmax) 3 2 3 1 2 1 STB15NM65N 710 V